產(chǎn)品展示
富士1單元IGBT模塊1MBI300S-120
| 型 號(hào)： | 1MBI300S-120 |
| 報(bào) 價(jià)： | 1666 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
1200V / 300A 1 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
| 日本富士 IGBT 模塊（耐壓600/1200/1400/1800/2000V）系列： | |||
| 日本富士 IGBT 1單元600V系列： | |||
| 1MBH50D-060 | 1MBH50-090 | 1MBH60-100 | 1MBH60D-100 |
| 1MBI30L-060 | 1MBI50L-060 | 1MBI75FE-060 | 1MBI75L-060 |
| 1MBI100L-060 | 1MBI150NH-060 | 1MBI150NK-060 | 1MBI200NH-060 |
| 1MBI200NK-060 | 1MBI300L-060 | 1MBI300N-060 | 1MBI300F-060 |
| 1MBI400F-060 | 1MBI400L-060 | 1MBI400N-060 | 1MBI600LP-060 |
| 1MBI600LN-060 | 1MBI600NP-060 | 1MBI600NN-060 | |
| 日本富士 IGBT 1單元1200V系列： | |||
| 1MBI200L-120 | 1MBI200N-120 | 1MBI200S-120 | 1MBI200F-120 |
| 1MBI300F-120 | 1MBI300L-120 | 1MBI300N-120 | 1MBI300S-120 |
| 1MBI300JN-120 | 1MBI300JB-120 | 1MBI300NP-120 | 1MBI300NN-120 |
| 1MBI400JN-120 | 1MBI400JP-120 | 1MBI400NP-120 | 1MBI400NN-120 |
| 1MBI400NA-120 | 1MBI400L-120 | 1MBI400N-120 | 1MBI400S-120 |
| 1MBI600PX-120 | |||
| 日本富士 IGBT 1單元1400/1800/2000V系列： | |||
| 1MBI600PX-140 | 1MBI800PN-180 | 1MBI400L-200 | 1MBI400A-200 |
