-
英飛凌高頻IGBT模塊FF200R12KS4
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌1700V-IGBT模塊FF300R17KE3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FP100R12KT4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3
3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT斬波模塊FD400R12KE3
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用，如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用，如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用，如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 電容
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4
英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊 IPM模塊可控硅晶閘管 電容
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅 晶閘管 電容
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4
主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、BUSSMANN快熔
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF450R06ME3
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理國(guó)內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭
查看詳細(xì)介紹 -
英飛凌IGBT模塊FF450R12ME3
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理國(guó)內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭
查看詳細(xì)介紹
