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  • BSM300GA170DLC英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • BSM300GB120DLC英飛凌IGBT模塊BSM300GB120DLC

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    英飛凌IGBT模塊BSM300GB120DLC IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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  • BSM200GB120DN2英飛凌IGBT模塊BSM200GB120DN2

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  • FZ800R12KS4eupec歐派克IGBT模塊FZ800R12KS4

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    北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售eupec歐派克IGBT模塊FZ800R12KS4

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  • DF400R12KE3英飛凌IGBT斬波模塊DF400R12KE3

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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD300R12KE3英飛凌IGBT斬波模塊FD300R12KE3

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  • FF600R12ME4英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4

    英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4

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  • FD1600/1200R17KF6C_B英飛凌igbt斬波模塊FD1600/1200R17KF6C_B2

    英飛凌igbt斬波模塊FD1600/1200R17KF6C_B2

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  • FF400R06KE3英飛凌IGBT模塊FF400R06KE3

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  • FF400R07KE4英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

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